Welcome to ichome.com!

logo
Lar

TP65H050G4BS

TP65H050G4BS

TP65H050G4BS

Transphorm

650 V 34 A GAN FET

compliant

TP65H050G4BS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $13.65000 $13.65
500 $13.5135 $6756.75
1000 $13.377 $13377
1500 $13.2405 $19860.75
2000 $13.104 $26208
2500 $12.9675 $32418.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.8V @ 700µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 119W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

5HN01C-TB-E
5HN01C-TB-E
$0 $/pedaço
RFD3N08L
RFD3N08L
$0 $/pedaço
DMNH6010SCTB-13
NVB260N65S3
NVB260N65S3
$0 $/pedaço
2SK3354-AZ
2SK3354-AZ
$0 $/pedaço
RJL5014DPP-E0#T2
RJL5014DPP-E0#T2
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.