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TPH6R30ANL,L1Q

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TPH6R30ANL,L1Q

MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP

não conforme

TPH6R30ANL,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.42420 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 66A (Ta), 45A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4300 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 54W (Tc)
temperatura de operação 150°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SIHG61N65EF-GE3
IXFB100N50P
IXFB100N50P
$0 $/pedaço
DMN10H170SVT-7
FDC365P
FDC365P
$0 $/pedaço
NTMT064N65S3H
NTMT064N65S3H
$0 $/pedaço
SI4126DY-T1-GE3

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