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TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

não conforme

TPH2R306NH,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.27400 -
3724 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6100 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

G10N10A
G10N10A
$0 $/pedaço
MTDF1N03HDR2
MTDF1N03HDR2
$0 $/pedaço
IXTA48P05T-TRL
IXTA48P05T-TRL
$0 $/pedaço
DMN3023L-13
DMN3023L-13
$0 $/pedaço
SI7390DP-T1-GE3
FDS6680
FDS6680
$0 $/pedaço
R6547ENZ4C13
R6547ENZ4C13
$0 $/pedaço

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