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TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

não conforme

TPH2010FNH,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.59500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI3417DV-T1-GE3
SI6423DQ-T1-E3
SI6423DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
PSMN6R4-30MLDX
IRLZ14STRLPBF
IRLZ14STRLPBF
$0 $/pedaço
FDMS7680
FDMS7680
$0 $/pedaço
BSB008NE2LXXUMA1
DMN1008UFDF-13
FQD5N50CTM
FDPF390N15A
FDPF390N15A
$0 $/pedaço

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