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TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP

compliant

TPH12008NH,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.53200 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.3mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 300µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 48W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

BSZ0602LSATMA1
FQPF13N50C
SIA462DJ-T1-GE3
PSMN3R3-80ES,127
PSMN3R3-80ES,127
$0 $/pedaço
IRF6620TRPBF
FDMS2506SDC
CSD17305Q5A
CSD17305Q5A
$0 $/pedaço
IXTA110N055T2-TRL
IXTA110N055T2-TRL
$0 $/pedaço
UF3C065080B7S
UF3C065080B7S
$0 $/pedaço
SIHB125N60EF-GE3

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