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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

compliant

TK10P60W,RVQ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.24740 -
11089 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 300 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SQ4840EY-T1_BE3
SIHP8N50D-GE3
SIHP8N50D-GE3
$0 $/pedaço
NTD4810N-35G
NTD4810N-35G
$0 $/pedaço
STD120N4F6
STD120N4F6
$0 $/pedaço
FQP2N80
FQP2N80
$0 $/pedaço
RF4L040ATTCR
RF4L040ATTCR
$0 $/pedaço
IRLZ24PBF-BE3
IRLZ24PBF-BE3
$0 $/pedaço

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