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CSD19538Q3A

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CSD19538Q3A

MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

não conforme

CSD19538Q3A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.68000 $0.68
500 $0.6732 $336.6
1000 $0.6664 $666.4
1500 $0.6596 $989.4
2000 $0.6528 $1305.6
2500 $0.646 $1615
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 454 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-VSONP (3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI2300DS-T1-GE3
NVMJS1D3N04CTWG
NVMJS1D3N04CTWG
$0 $/pedaço
IXTA75N10P-TRL
IXTA75N10P-TRL
$0 $/pedaço
FDS9435A
FDS9435A
$0 $/pedaço
NVH4L040N65S3F
NVH4L040N65S3F
$0 $/pedaço
STW45N60DM2AG
HUFA76619D3ST

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