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CSD19538Q2

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CSD19538Q2

MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON

compliant

CSD19538Q2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 454 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-WSON (2x2)
pacote / caixa 6-WDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

FDB86563-F085
FDB86563-F085
$0 $/pedaço
FDP047N08
FDP047N08
$0 $/pedaço
IRFI510GPBF
IRFI510GPBF
$0 $/pedaço
FDB082N15A
FDB082N15A
$0 $/pedaço
IPS60R650CEAKMA1
FCA47N60-F109
FCA47N60-F109
$0 $/pedaço
FDD8N50NZTM
FDD8N50NZTM
$0 $/pedaço

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