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CSD19535KTTT

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MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

não conforme

CSD19535KTTT Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.91420 $145.71
100 $2.66080 $266.08
250 $2.40732 $601.83
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7930 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DDPAK/TO-263-3
pacote / caixa TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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Número da peça relacionada

IRFR3711TRPBF
PHP29N08T,127
PHP29N08T,127
$0 $/pedaço
BUK9Y58-75B,115
IRF2204SPBF
FDD14AN06LA0
FCD4N60TM
FCD4N60TM
$0 $/pedaço
CSD19505KTT
CSD19505KTT
$0 $/pedaço
SUD19N20-90-T4-E3
FDH210N08
FDH210N08
$0 $/pedaço

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