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CSD18536KTT

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MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

compliant

CSD18536KTT Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.37000 $5.37
500 $5.3163 $2658.15
1000 $5.2626 $5262.6
1500 $5.2089 $7813.35
2000 $5.1552 $10310.4
2500 $5.1015 $12753.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11430 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DDPAK/TO-263-3
pacote / caixa TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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Número da peça relacionada

STQ1NK80ZR-AP
NTMFS4837NT1G
NTMFS4837NT1G
$0 $/pedaço
STU3LN80K5
STU3LN80K5
$0 $/pedaço
NTBLS1D7N08H
NTBLS1D7N08H
$0 $/pedaço
IPD046N08N5ATMA1
FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102
$0 $/pedaço
SIR882DP-T1-GE3
STWA88N65M5
STWA88N65M5
$0 $/pedaço

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