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TSM4NB60CH X0G

TSM4NB60CH X0G

TSM4NB60CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251

não conforme

TSM4NB60CH X0G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
7,500 $0.30206 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251 (IPAK)
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IRFSL3306PBF
IRFS4410ZTRLPBF
FQD630TF
FDZ7064AS
ZXMP6A13GTA
ZXMP6A13GTA
$0 $/pedaço
FDD044AN03L
PH3330L,115
PH3330L,115
$0 $/pedaço
RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A
$0 $/pedaço
VP0109N3-G
VP0109N3-G
$0 $/pedaço

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