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TSM160N10LCR RLG

TSM160N10LCR RLG

TSM160N10LCR RLG

MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

não conforme

TSM160N10LCR RLG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.43610 -
19953 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 46A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4431 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PDFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

TP2535N3-G
TP2535N3-G
$0 $/pedaço
SIR416DP-T1-GE3
IXTN660N04T4
IXTN660N04T4
$0 $/pedaço
IPB60R080P7ATMA1
IXTP34N65X2
IXTP34N65X2
$0 $/pedaço
FDPF8N50NZ
FDPF8N50NZ
$0 $/pedaço
SIS892DN-T1-GE3
IRL3803VSPBF

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