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TSM080N03EPQ56 RLG

TSM080N03EPQ56 RLG

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MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

não conforme

TSM080N03EPQ56 RLG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.20444 -
5,000 $0.19126 -
12,500 $0.18466 -
4505 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 55A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 750 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 54W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PDFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DMN100-7-F
DMN100-7-F
$0 $/pedaço
SI7850ADP-T1-GE3
IRFU1205PBF
NVMJS0D8N04CLTWG
NVMJS0D8N04CLTWG
$0 $/pedaço
HUF75307T3ST
QS5U26TR
QS5U26TR
$0 $/pedaço
IRL640PBF-BE3
IRL640PBF-BE3
$0 $/pedaço
SIHFBE30S-GE3
SIHFBE30S-GE3
$0 $/pedaço
IRLS640A
IRLS640A
$0 $/pedaço
IRFSL7537PBF

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