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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 30 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 100A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 4.2mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.5V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| vgs (máx.) | ±16V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 4200 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 8-SOIC-EP |
| pacote / caixa | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
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