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STL26NM60N

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MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

não conforme

STL26NM60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $3.18934 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Ta), 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 185mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125mW (Ta), 3W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (8x8) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7
$0 $/pedaço
IPA60R125CPXKSA1
RTR040N03HZGTL
NVMFS5C410NWFAFT3G
NVMFS5C410NWFAFT3G
$0 $/pedaço
R6004JND3TL1
R6004JND3TL1
$0 $/pedaço
PSMN4R6-60PS,127
IRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF
$0 $/pedaço
RSH090N03TB1
RSH090N03TB1
$0 $/pedaço
SCH1330-TL-W
SCH1330-TL-W
$0 $/pedaço

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