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STL23NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT

não conforme

STL23NM60ND Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2050 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (8x8) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRLU7833
IRLU7833
$0 $/pedaço
IRLR8103VPBF
IRFS31N20DTRR
AUIRLU3110Z
IXFH21N50Q
IXFH21N50Q
$0 $/pedaço
STF28N60DM2
STF28N60DM2
$0 $/pedaço
SI6443DQ-T1-E3
SI6443DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
NVD6824NLT4G
NVD6824NLT4G
$0 $/pedaço
PF5102
PF5102
$0 $/pedaço

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