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STL19N60M2

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MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

não conforme

STL19N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.42560 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 791 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 90W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (8x8) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRFB4137PBF
SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3
$0 $/pedaço
IPD65R950C6ATMA1
SI7423DN-T1-E3
SI7423DN-T1-E3
$0 $/pedaço
FQP9N25
FQP9N25
$0 $/pedaço
IPD50R280CEAUMA1
APTM100UM45FAG
IRFR2405TRLPBF
2SK2803
2SK2803
$0 $/pedaço

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