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STF33N65M2

STF33N65M2

STF33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

não conforme

STF33N65M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.91000 $3.91
50 $3.18200 $159.1
100 $2.91940 $291.94
500 $2.40710 $1203.55
1,000 $2.06562 -
2,500 $1.97368 -
5,000 $1.90801 -
602 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 140mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1790 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IPB65R380C6ATMA1
NTMFS5C673NLT1G
NTMFS5C673NLT1G
$0 $/pedaço
IXTQ74N20P
IXTQ74N20P
$0 $/pedaço
NTTFS4C10NTWG
NTTFS4C10NTWG
$0 $/pedaço
NVMFS5C423NLWFAFT1G
NVMFS5C423NLWFAFT1G
$0 $/pedaço
MMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2G
$0 $/pedaço
STB30N65M2AG
STB30N65M2AG
$0 $/pedaço
BSH111BKR
BSH111BKR
$0 $/pedaço

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