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STD70N10F4

STD70N10F4

STD70N10F4

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

não conforme

STD70N10F4 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.84303 -
5,000 $0.80551 -
12,500 $0.77871 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 19.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPP020N08N5AKSA1
PSMN2R7-30BL,118
FDPF16N50T
FDPF16N50T
$0 $/pedaço
NTB35N15T4G
NTB35N15T4G
$0 $/pedaço
SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3
$0 $/pedaço
SQD40131EL_GE3
SQD40131EL_GE3
$0 $/pedaço
DMP21D0UFD-7
PSMN5R2-60YLX
PSMN5R2-60YLX
$0 $/pedaço
FQB9N08TM

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