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STD2NK100Z

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MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK

não conforme

STD2NK100Z Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.14738 -
5,000 $1.10970 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.85A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 499 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPW90R120C3XKSA1
MTD1312T4
MTD1312T4
$0 $/pedaço
STW9N80K5
STW9N80K5
$0 $/pedaço
NTD4906NT4H
NTD4906NT4H
$0 $/pedaço
IXTY1N80P
IXTY1N80P
$0 $/pedaço
IXFY26N30X3
IXFY26N30X3
$0 $/pedaço
DMN10H170SVTQ-7
SUG80050E-GE3
SUG80050E-GE3
$0 $/pedaço

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