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STB34NM60ND

STB34NM60ND

STB34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

não conforme

STB34NM60ND Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $5.27175 -
422 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2785 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SISS50DN-T1-GE3
IRFB7734PBF
NX3008NBKMB,315
IRF710STRLPBF
IRF710STRLPBF
$0 $/pedaço
CSD25501F3
CSD25501F3
$0 $/pedaço
NTMFS4H01NT1G
NTMFS4H01NT1G
$0 $/pedaço
FDMC013P030Z
FDMC013P030Z
$0 $/pedaço
SI4401FDY-T1-GE3
IRFPC50PBF
IRFPC50PBF
$0 $/pedaço
FQB8N25TM

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