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STB28N60DM2

STB28N60DM2

STB28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

compliant

STB28N60DM2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.33890 -
2,000 $3.19029 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1500 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPD60R600CP
FDB6670AS
SPB80N06S08ATMA1
PMV37ENEAR
PMV37ENEAR
$0 $/pedaço
BUK9Y15-60E,115
FDP5800
FDP5800
$0 $/pedaço
RM5N800T2
RM5N800T2
$0 $/pedaço
STFH13N60M2
STFH13N60M2
$0 $/pedaço

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