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SI8275GBD-IM1R

SI8275GBD-IM1R

SI8275GBD-IM1R

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

não conforme

SI8275GBD-IM1R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.27000 $3.27
500 $3.2373 $1618.65
1000 $3.2046 $3204.6
1500 $3.1719 $4757.85
2000 $3.1392 $6278.4
2500 $3.1065 $7766.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tecnologia Capacitive Coupling
número de canais 2
tensão - isolamento 2500Vrms
imunidade transitória de modo comum (min) 200kV/µs
atraso de propagação tplh / tphl (máx.) 75ns, 75ns
distorção de largura de pulso (máx.) 8ns
tempo de subida/descida (típico) 10.5ns, 13.3ns
corrente - saída alta, baixa 1.8A, 4A
corrente - pico de saída 4A
tensão - direta (vf) (típico) -
corrente - dc direto (se) (máx.) -
tensão - alimentação de saída 4.2V ~ 30V
temperatura de operação -40°C ~ 125°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 14-VDFN
pacote de dispositivo do fornecedor 14-QFN (5x5)
agência de aprovação CQC, CSA, UL, VDE
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Número da peça relacionada

SI8271GAD-IS
FOD3180ASD
SI823H8AD-IS3R
SI823H7BD-IS3R
NCP51561BBDWR2G
NCP51561BBDWR2G
$0 $/pedaço
NCV57091BDWR2G
NCV57091BDWR2G
$0 $/pedaço
SI823H7AD-IS3R
HCPL-5150-100
HCPL-5150-100
$0 $/pedaço

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