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SI8275BBD-IS1R

SI8275BBD-IS1R

SI8275BBD-IS1R

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

não conforme

SI8275BBD-IS1R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.95500 $2.955
500 $2.92545 $1462.725
1000 $2.8959 $2895.9
1500 $2.86635 $4299.525
2000 $2.8368 $5673.6
2500 $2.80725 $7018.125
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tecnologia Capacitive Coupling
número de canais 2
tensão - isolamento 2500Vrms
imunidade transitória de modo comum (min) 200kV/µs
atraso de propagação tplh / tphl (máx.) 75ns, 75ns
distorção de largura de pulso (máx.) 8ns
tempo de subida/descida (típico) 10.5ns, 13.3ns
corrente - saída alta, baixa 1.8A, 4A
corrente - pico de saída 4A
tensão - direta (vf) (típico) -
corrente - dc direto (se) (máx.) -
tensão - alimentação de saída 4.2V ~ 30V
temperatura de operação -40°C ~ 125°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 14-VDFN
pacote de dispositivo do fornecedor 14-QFN (5x5)
agência de aprovação CQC, CSA, UL, VDE
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Número da peça relacionada

2EDB8259YXUMA1
SI823H8CD-IS3R
NCD57091ADWR2G
NCD57091ADWR2G
$0 $/pedaço
SI8261ACA-C-IS
FOD8342AV
FOD8342AV
$0 $/pedaço
SI823H4CD-IS3R
FOD3150ASDV
FOD3150ASDV
$0 $/pedaço
SI82394CD-IS3R

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