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RUS100N02TB

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MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

não conforme

RUS100N02TB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.84336 -
930 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2250 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

IXFY8N65X2
IXFY8N65X2
$0 $/pedaço
SI2312BDS-T1-E3
IXTP08N120P
IXTP08N120P
$0 $/pedaço
STP15N60M2-EP
CSD17577Q5A
CSD17577Q5A
$0 $/pedaço
BSZ068N06NSATMA1
SIHF7N60E-E3
SIHF7N60E-E3
$0 $/pedaço
CSD17302Q5A
CSD17302Q5A
$0 $/pedaço
NVMFS5C423NLAFT3G
NVMFS5C423NLAFT3G
$0 $/pedaço

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