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RUM002N02T2L

RUM002N02T2L

RUM002N02T2L

MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3

compliant

RUM002N02T2L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.05600 -
16,000 $0.04760 -
24,000 $0.04480 -
56,000 $0.04200 -
200,000 $0.03920 -
64000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 2.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 25 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor VMT3
pacote / caixa SOT-723
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Número da peça relacionada

SIHA100N60E-GE3
BSS138BKAHZGT116
STP110N8F7
STP110N8F7
$0 $/pedaço
ISP12DP06NMXTSA1
STW7N95K3
STW7N95K3
$0 $/pedaço
NTD24N06-1G
NTD24N06-1G
$0 $/pedaço
NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G
$0 $/pedaço
NTTFS4930NTAG
NTTFS4930NTAG
$0 $/pedaço

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