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RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT

compliant

RQ3G100GNTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15810 -
14 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 615 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

DMN61D9UW-7
DMN61D9UW-7
$0 $/pedaço
IRFIZ24GPBF
IRFIZ24GPBF
$0 $/pedaço
2N7002-HF
2N7002-HF
$0 $/pedaço
C3M0280090J
C3M0280090J
$0 $/pedaço
IPZ60R040C7XKSA1
IXFN90N170SK
IXFN90N170SK
$0 $/pedaço
NVR4003NT3G
NVR4003NT3G
$0 $/pedaço
SCH1435-TL-H
SCH1435-TL-H
$0 $/pedaço
NVTFS6H888NWFTAG
NVTFS6H888NWFTAG
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