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RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

não conforme

RQ3E150GNTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.18135 -
6,000 $0.16965 -
15,000 $0.16380 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 850 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 17.2W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SIA468DJ-T1-GE3
FQB6N90TM
NDS0610
NDS0610
$0 $/pedaço
FDMC8878
FDMC8878
$0 $/pedaço
NTR4503NT1G
NTR4503NT1G
$0 $/pedaço
SCH1332-TL-H
SCH1332-TL-H
$0 $/pedaço
STW5NK100Z
STW5NK100Z
$0 $/pedaço
CSD17559Q5
CSD17559Q5
$0 $/pedaço

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