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RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

compliant

RQ3E150BNTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15500 -
6,000 $0.14500 -
15,000 $0.14000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

STF15NM65N
STF15NM65N
$0 $/pedaço
RM110N85T2
RM110N85T2
$0 $/pedaço
IRLI610ATU
SQJ140ELP-T1_GE3
BUK7M15-60EX
BUK7M15-60EX
$0 $/pedaço
SIDR140DP-T1-GE3
IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
$0 $/pedaço

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