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RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT

compliant

RQ3E070BNTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.09900 -
6,000 $0.09350 -
15,000 $0.08525 -
30,000 $0.07975 -
75,000 $0.07700 -
4929 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 410 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI2347DS-T1-GE3
3LP03M-TL-E
3LP03M-TL-E
$0 $/pedaço
IXFT60N65X2HV
IXFT60N65X2HV
$0 $/pedaço
SI7174DP-T1-GE3
IRFW540ATM
HUF75329P3
HUF75329P3
$0 $/pedaço
IXFK250N10P
IXFK250N10P
$0 $/pedaço
NTHL040N65S3HF
NTHL040N65S3HF
$0 $/pedaço

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