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RJU002N06T106

RJU002N06T106

RJU002N06T106

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

compliant

RJU002N06T106 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.08586 -
6,000 $0.08109 -
15,000 $0.07394 -
30,000 $0.06917 -
75,000 $0.06678 -
1243 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 18 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 200mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor UMT3
pacote / caixa SC-70, SOT-323
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Número da peça relacionada

PSMN1R4-30YLDX
RD3L140SPFRATL
FDU8770
FDU8770
$0 $/pedaço
APT1201R4BFLLG
SI4431BDY-T1-GE3
IXFR64N50P
IXFR64N50P
$0 $/pedaço
RM150N100HD
RM150N100HD
$0 $/pedaço
ZXMN3A01E6TA
IXFH140N10P
IXFH140N10P
$0 $/pedaço

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