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RF4L070BGTCR

RF4L070BGTCR

RF4L070BGTCR

NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO

compliant

RF4L070BGTCR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.13000 $1.13
500 $1.1187 $559.35
1000 $1.1074 $1107.4
1500 $1.0961 $1644.15
2000 $1.0848 $2169.6
2500 $1.0735 $2683.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 460 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN2020-8S
pacote / caixa 8-PowerUDFN
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Número da peça relacionada

ISC0802NLSATMA1
STWA35N65DM2
STWA35N65DM2
$0 $/pedaço
IRFD112
IRFD112
$0 $/pedaço
DMP4013LFG-7
MTB4N40ET4-ON
MTB4N40ET4-ON
$0 $/pedaço
DMT10H015LFG-13
2SK1958-T1-A
2SK1958-T1-A
$0 $/pedaço
DMN65D7LFR4-7

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