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RF4E060AJTCR

RF4E060AJTCR

RF4E060AJTCR

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

compliant

RF4E060AJTCR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
2609 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 450 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor HUML2020L8
pacote / caixa 8-PowerUDFN
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Número da peça relacionada

SI4874BDY-T1-E3
IXTT80N20L
IXTT80N20L
$0 $/pedaço
STH240N75F3-6
STP9N65M2
STP9N65M2
$0 $/pedaço
SI7141DP-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
HUF75333P3
IPB60R160C6ATMA1

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