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RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL

MOSFET N-CH 100V 80A TO252

compliant

RD3P08BBDTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.20000 $3.2
500 $3.168 $1584
1000 $3.136 $3136
1500 $3.104 $4656
2000 $3.072 $6144
2500 $3.04 $7600
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1940 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 119W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

DMN2020UFCL-7
NVMFS5C423NLWFAFT3G
NVMFS5C423NLWFAFT3G
$0 $/pedaço
RF1K49156
DMN65D8L-7
DMN65D8L-7
$0 $/pedaço
IRF730PBF-BE3
IRF730PBF-BE3
$0 $/pedaço
DMN4040SK3Q-13
FQD5N20LTM
FQD5N20LTM
$0 $/pedaço
FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF-WS
$0 $/pedaço
DMT10H010LK3-13
R6020JNZC8
R6020JNZC8
$0 $/pedaço

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