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RBLQ3LAM10TFTR

RBLQ3LAM10TFTR

RBLQ3LAM10TFTR

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A,

não conforme

RBLQ3LAM10TFTR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.39397 $0.39397
500 $0.3900303 $195.01515
1000 $0.3860906 $386.0906
1500 $0.3821509 $573.22635
2000 $0.3782112 $756.4224
2500 $0.3742715 $935.67875
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 100 V
corrente - média retificada (io) 3A
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 640 mV @ 3 A
velocidade Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) -
corrente - fuga reversa @ vr 30 µA @ 100 V
capacitância @ vr, f 140pF @ 4V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOD-128
pacote de dispositivo do fornecedor PMDTM
temperatura de operação - junção 175°C
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Número da peça relacionada

R42120
R42120
$0 $/pedaço
1N413B
1N413B
$0 $/pedaço
JANTX1N6639US
JANS1N6872UTK2
LSM345G/TR13
R306080F
R306080F
$0 $/pedaço
S2KB-HF
S2KB-HF
$0 $/pedaço
S10DL-TP
S10DL-TP
$0 $/pedaço

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