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R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

não conforme

R6535ENZ4C13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.86000 $7.86
500 $7.7814 $3890.7
1000 $7.7028 $7702.8
1500 $7.6242 $11436.3
2000 $7.5456 $15091.2
2500 $7.467 $18667.5
571 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 115mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1.21mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 379W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247G
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
$0 $/pedaço
IXTH8P50
IXTH8P50
$0 $/pedaço
APT8020LLLG
BUK661R6-30C,118
SVD5867NLT4G
SVD5867NLT4G
$0 $/pedaço
3LN01M-TL-E
3LN01M-TL-E
$0 $/pedaço
STB28N65M2
STB28N65M2
$0 $/pedaço
IXTA56N15T
IXTA56N15T
$0 $/pedaço

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