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R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

compliant

R6520ENZ4C13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.07000 $6.07
500 $6.0093 $3004.65
1000 $5.9486 $5948.6
1500 $5.8879 $8831.85
2000 $5.8272 $11654.4
2500 $5.7665 $14416.25
586 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 205mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 630µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 231W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247G
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

STH240N75F3-2
TN0104N8-G
TN0104N8-G
$0 $/pedaço
SPD18P06PGBTMA1
IPA60R520C6XKSA1
FDB8444TS
FDMS86182
FDMS86182
$0 $/pedaço
IXTP52P10P
IXTP52P10P
$0 $/pedaço
RQ3E080BNTB
RQ3E080BNTB
$0 $/pedaço
XP261N7002TR-G

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