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R6009JNJGTL

R6009JNJGTL

R6009JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

SOT-23

não conforme

R6009JNJGTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.05000 $3.05
500 $3.0195 $1509.75
1000 $2.989 $2989
1500 $2.9585 $4437.75
2000 $2.928 $5856
2500 $2.8975 $7243.75
1040 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id 7V @ 1.38mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 645 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NVMFS6H836NLWFT1G
NVMFS6H836NLWFT1G
$0 $/pedaço
APT60M80L2VRG
IXTT110N10L2
IXTT110N10L2
$0 $/pedaço
RM150N100T2
RM150N100T2
$0 $/pedaço
IRF3710PBF
FDU8586
FDU8586
$0 $/pedaço
PSMN1R5-50YLHX
IPD640N06LGBTMA1

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