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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
| corrente - coletor (ic) (máx.) | 100 mA |
| tensão - quebra do coletor emissor (máx.) | 50 V |
| resistor - base (r1) | 2.2 kOhms |
| resistor - base emissora (r2) | 47 kOhms |
| ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 10mA, 5V |
| saturação vce (máx.) @ ib, ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| corte de corrente - coletor (máx.) | 500nA |
| frequência - transição | 250 MHz |
| potência - máx. | 150 mW |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote / caixa | SOT-563, SOT-666 |
| pacote de dispositivo do fornecedor | EMT6 |
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