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EMB3T2R

EMB3T2R

EMB3T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB3T2R Ficha de dados

não conforme

EMB3T2R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.06462 -
16,000 $0.05744 -
24,000 $0.05385 -
56,000 $0.05026 -
14604 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
corrente - coletor (ic) (máx.) 100mA
tensão - quebra do coletor emissor (máx.) 50V
resistor - base (r1) 4.7kOhms
resistor - base emissora (r2) -
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
saturação vce (máx.) @ ib, ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
corte de corrente - coletor (máx.) -
frequência - transição 250MHz
potência - máx. 150mW
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-563, SOT-666
pacote de dispositivo do fornecedor EMT6
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Número da peça relacionada

BCR185SH6327
NSBA123JDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
$0 $/pedaço
NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G
$0 $/pedaço
PEMH4,115
PEMH4,115
$0 $/pedaço
UMH33NTN
UMH33NTN
$0 $/pedaço
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
$0 $/pedaço

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