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BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

compliant

BSM300D12P2E001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $663.08000 $663.08
36 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Silicon Carbide (SiC)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200V (1.2kV)
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 300A (Tc)
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 68mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 35000pF @ 10V
potência - máx. 1875W
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote / caixa Module
pacote de dispositivo do fornecedor Module
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Número da peça relacionada

SI7942DP-T1-GE3
DMTH4007SPD-13
IRFN214BTA
SQJB40EP-T1_GE3
NTMFD4902NFT1G
NTMFD4902NFT1G
$0 $/pedaço
FDMC3300NZA
ZXMC10A816N8TC
FDS4501H

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