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UPA2826T1S-E2-AT

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UPA2826T1S-E2-AT

8P HWSON

compliant

UPA2826T1S-E2-AT Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 8V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 4 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3610 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 20W (Ta)
temperatura de operação 150°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HWSON (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

BUK763R4-30,118
NTTFS5D1N06HLTAG
NTTFS5D1N06HLTAG
$0 $/pedaço
FCPF20N60T
FCPF20N60T
$0 $/pedaço
MCAC38N10Y-TP
DMT32M4LFG-13
RFP8N20
RFP8N20
$0 $/pedaço
G2312
G2312
$0 $/pedaço

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