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UPA2825T1S-E2-AT

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UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

compliant

UPA2825T1S-E2-AT Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.47600 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.6mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2600 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HWSON (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

SI4320DY-T1-GE3
FQH140N10
IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P
$0 $/pedaço
NX7002AKA215
NX7002AKA215
$0 $/pedaço
DMN55D0UTQ-7
PHX27NQ11T,127
PHX27NQ11T,127
$0 $/pedaço
FDH15N50
FDH15N50
$0 $/pedaço
FQB9N50CTM
FQB9N50CTM
$0 $/pedaço
PH6530AL,115
PH6530AL,115
$0 $/pedaço

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