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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 20 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 3A (Ta) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | - |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2V @ 250µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 3.1 nC @ 4.5 V |
| vgs (máx.) | - |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 190 pF @ 10 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| dissipação de potência (máx.) | - |
| temperatura de operação | - |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 6-MLP (3x3) |
| pacote / caixa | 6-VDFN Exposed Pad |
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