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RJK6026DPE-00#J3

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MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

não conforme

RJK6026DPE-00#J3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LDPAK
pacote / caixa SC-83
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Número da peça relacionada

IRFIBC40G
IRFIBC40G
$0 $/pedaço
IRL630STRR
IRL630STRR
$0 $/pedaço
IXTH130N15T
IXTH130N15T
$0 $/pedaço
STP8NK85Z
STP8NK85Z
$0 $/pedaço
FQD4P40TF
FQD4P40TF
$0 $/pedaço
IRF634L
IRF634L
$0 $/pedaço
FQB19N10TM
FQB19N10TM
$0 $/pedaço
IPU050N03L G
IRFU3607-701PBF
IPD30N06S3-24

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