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RJK6013DPP-E0#T2

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Renesas

RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

compliant

RJK6013DPP-E0#T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.49273 $4.49273
500 $4.4478027 $2223.90135
1000 $4.4028754 $4402.8754
1500 $4.3579481 $6536.92215
2000 $4.3130208 $8626.0416
2500 $4.2680935 $10670.23375
2328 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1450 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação 150°C
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

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