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NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

não conforme

NP33N06YDG-E1-AY Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.87341 $0.87341
500 $0.8646759 $432.33795
1000 $0.8559418 $855.9418
1500 $0.8472077 $1270.81155
2000 $0.8384736 $1676.9472
2500 $0.8297395 $2074.34875
2500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Ta), 97W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSON
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
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Número da peça relacionada

BSS84WQ-7-F
BSS84WQ-7-F
$0 $/pedaço
ZVNL120A
ZVNL120A
$0 $/pedaço
STD30NF06T4
STD30NF06T4
$0 $/pedaço
FDU6682
FDU6682
$0 $/pedaço
SI2371EDS-T1-GE3
UF3C120080B7S
UF3C120080B7S
$0 $/pedaço
BUK7Y25-80EX
BUK7Y25-80EX
$0 $/pedaço
SIHA4N80E-GE3
SIHA4N80E-GE3
$0 $/pedaço
STF13NM60ND
STF13NM60ND
$0 $/pedaço

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