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2SK1859-E

2SK1859-E

2SK1859-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

compliant

2SK1859-E Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 980 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3P
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STP60NE06L-16
PMR400UN,115
PMR400UN,115
$0 $/pedaço
MTP10N10ELG
MTP10N10ELG
$0 $/pedaço
SPB80N06S2L-05
SUP90N08-6M8P-E3
STF13NM50N
STF13NM50N
$0 $/pedaço
NTD32N06T4G
NTD32N06T4G
$0 $/pedaço
IRF8302MTR1PBF
IXTV36N50P
IXTV36N50P
$0 $/pedaço

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