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RM5N800IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO251

não conforme

RM5N800IP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.69000 $0.69
500 $0.6831 $341.55
1000 $0.6762 $676.2
1500 $0.6693 $1003.95
2000 $0.6624 $1324.8
2500 $0.6555 $1638.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 81W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

FQPF44N08T
PHB20NQ20T118
PHB20NQ20T118
$0 $/pedaço
FQPF9P25
FQPF9P25
$0 $/pedaço
BSZ0502NSIATMA1
BUK962R5-60E,118
IXFR24N80P
IXFR24N80P
$0 $/pedaço
IPW60R075CPFKSA1
RW1A013ZPT2R
RW1A013ZPT2R
$0 $/pedaço

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