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RM50N60IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO251

não conforme

RM50N60IP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

DMN53D0LW-13
NTP27N06L
NTP27N06L
$0 $/pedaço
RM130N200T7
RM130N200T7
$0 $/pedaço
HUF76645S3ST
IRF530STRLPBF
IRF530STRLPBF
$0 $/pedaço
SQP50N06-09L_GE3
RQ1C075UNTR
RQ1C075UNTR
$0 $/pedaço

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